Радиационно стойкое ОЗУ 1657РУ2У
- ОПИСАНИЕ
- ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
- ДОКУМЕНТАЦИЯ
1657РУ2У
Микросхема 1657РУ2У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 16 Мбит с конфигурируемой организацией 1024К×16 или 2048К×8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно стойких приложений.
Функциональной особенностью микросхемы является использование кода Хэмминга для обнаружения и исправления ошибок в каждом из байтов 16-разрядного слова.
Технология изготовления: 130 нм КМОП процесс на базе радиационно стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС»;
Тип памяти: статическая, асинхронная;
Организация памяти 1024К×16, 2048К×8;
Время выборки адреса (включая время на исправление одиночных ошибок):
типовое 16 нс;
Напряжение питания: 1,2 В и 3,3 В;
Температурный диапазон: от –60 °C до +125 °С.
Потребляемая мощность:
типовая:
в режиме хранения: 6…12 мВт;
динамическая: 143…155 мВт;
максимальная:
в режиме хранения: 151 мВт;
динамическая: 390 мВт;
Рабочее пониженное атмосферное давление 10-6 мм рт.ст.;
Показатель герметичности 6,65∙10-3 Па∙см3/с;
Корпус металлокерамический LCC-68; 24,15 x 24,15 мм;
Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 2000 В.
Название документа | Дата | Размер | Скачать |
Микросхема интегральная 1657РУ2У. Краткая информация |
07.11.2019 |
511 Кб |
|
Микросхема интегральная 1657РУ2У. Техническое описание |
11.11.2019 |
646 Кб |
|
Качественное экстраполирование жизнеспособности устройства в радиационной среде обеспечивается испытаниями микросхемы 1657РУ2У на моделирующих установках, в том числе испытаниями на воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).
Функциональными аналогами 1657РУ2У являются микросхемы UT8ER512K32, UT8Q512K32, UT8CR512K32 (Cobham/Aeroflex), AT68166F (Atmel).
