Радиационно стойкие и SpaceWire

«МУЛЬТИБОРТ» — радиационно стойкие ИМС, микросхемы с портами SpaceWire, SpaceFibre.

ROBODEUS

50-ЯДЕРНАЯ ГЕТЕРОГЕННАЯ СНК
ДЛЯ ВСТРАИВАЕМЫХ СИСТЕМ
И РОБОТОТЕХНИКИ


СнК RoboDeus обеспечивает производительность алгоритмов искусственного интеллекта на основе нейронных сетей на уровне 16 Tflops и предназначена для построения интеллектуальных мультисенсорных встраиваемых систем

SCYTHIAN

СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ ДЛЯ МОБИЛЬНЫХ
И ВСТРАИВАЕМЫХ СИСТЕМ СВЯЗИ,
НАВИГАЦИИ И МУЛЬТИМЕДИА


СнК «Скиф» предназначена для построения телекоммуникационных, навигационных, мультимедийных приложений, мульти-сенсорной обработки сигналов, робототехнических систем, планшетов, умных камер, систем мониторинга

ELIoT


СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ
ДЛЯ ИНТЕРНЕТА ВЕЩЕЙ


СнК «Элиот», предназначенная для применения в условиях ограниченного энергопотребления и обеспечения доверенности в IoT-сетях

Радиационно стойкое ОЗУ 1657РУ2У

Микросхема памяти 1657РУ2У

1657РУ2У

Микросхема 1657РУ2У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 16 Мбит с конфигурируемой организацией 1024К×16 или 2048К×8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно стойких приложений.

Функциональной особенностью микросхемы является использование кода Хэмминга для обнаружения и исправления ошибок в каждом из байтов 16-разрядного слова.

  • Технология изготовления: 130 нм КМОП процесс на базе радиационно стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС»;

  • Тип памяти: статическая, асинхронная;

  • Организация памяти 1024К×16, 2048К×8;

  • Время выборки адреса (включая время на исправление одиночных ошибок):

    • типовое 16 нс;

  • Напряжение питания: 1,2 В и 3,3 В;

  • Температурный диапазон: от –60 °C до +125 °С.

  • Потребляемая мощность:

    • типовая:

      • в режиме хранения: 6…12 мВт;

      • динамическая: 143…155 мВт;

    • максимальная:

      • в режиме хранения: 151 мВт;

      • динамическая: 390 мВт;

  • Рабочее пониженное атмосферное давление 10-6 мм рт.ст.;

  • Показатель герметичности 6,65∙10-3 Па∙см3/с;

  • Корпус металлокерамический LCC-68; 24,15 x 24,15 мм;

  • Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 2000 В.

Название документа

Дата

Размер

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ2У. Краткая информация

07.11.2019

511 Кб

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ2У. Техническое описание

11.11.2019

646 Кб

Скачать

Вся документация

Качественное экстраполирование жизнеспособности устройства в радиационной среде обеспечивается испытаниями микросхемы 1657РУ2У на моделирующих установках, в том числе испытаниями на воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).

Функциональными аналогами 1657РУ2У являются микросхемы UT8ER512K32, UT8Q512K32, UT8CR512K32 (Cobham/Aeroflex), AT68166F (Atmel).

Рус|En