Радиационно стойкие и SpaceWire

«МУЛЬТИБОРТ» — радиационно стойкие ИМС, микросхемы с портами SpaceWire, SpaceFibre.

ROBODEUS

50-ЯДЕРНАЯ ГЕТЕРОГЕННАЯ СНК
ДЛЯ ВСТРАИВАЕМЫХ СИСТЕМ
И РОБОТОТЕХНИКИ


СнК RoboDeus обеспечивает производительность алгоритмов искусственного интеллекта на основе нейронных сетей на уровне 16 Tflops и предназначена для построения интеллектуальных мультисенсорных встраиваемых систем

SCYTHIAN

СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ ДЛЯ МОБИЛЬНЫХ
И ВСТРАИВАЕМЫХ СИСТЕМ СВЯЗИ,
НАВИГАЦИИ И МУЛЬТИМЕДИА


СнК «Скиф» предназначена для построения телекоммуникационных, навигационных, мультимедийных приложений, мульти-сенсорной обработки сигналов, робототехнических систем, планшетов, умных камер, систем мониторинга

ELIoT


СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ
ДЛЯ ИНТЕРНЕТА ВЕЩЕЙ


СнК «Элиот», предназначенная для применения в условиях ограниченного энергопотребления и обеспечения доверенности в IoT-сетях

Радиационно стойкое статическое ОЗУ 1657РУ1У

Микросхема памяти 1657РУ1У

1657РУ1У

Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно стойких приложений

Функциональными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor).

  • Технология изготовления: 0,25-мкм КМОП процесс на базе радиационно-стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС».

  • Тип памяти: статическая, асинхронная.

  • Организация памяти 512К×8.

  • Время выборки адреса:

    • типовое 25 нс;

    • во время и непосредственно после ВВФ и радиационного воздействия не более 40 нс.

  • Типовая потребляемая мощность: 80 мВт.

  • Напряжение питания: ядро 2,5 В ±5%, периферия 3,3 В ±5%.

  • Диапазон рабочих температур: –60 ...+125 °С.

  • Атмосферное пониженное рабочее давление: 10-6 мм рт. ст..

  • Корпус металлокерамический LCC-44; 16,5 x 16,5 х 3,15 мм.

  • Показатель герметичности 6,65∙10-3 Па∙см3/с.

  • Масса микросхемы не более 3 г.

  • Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 1000 В.


Характеристики радиационной стойкости

Параметр

Значение

Суммарная накопленная доза, TID

330 крад, КТЗ 500 крад

Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту отказов SEL (тиристорных эффектов):
Пороговое значение ЛПЭ при Токр.=100 °С



>99,7 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 0°
>140 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 45°

Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту одиночных сбоев SEU:
Пороговое значение ЛПЭ
Сечение насыщения при ЛПЭ=6 МэВ∙см2/мг [Si] ÷ 69 МэВ∙см2/мг [Si] для углов падения 0°, 30°, 45°


3,9 МэВ∙см2/мг [Si]
1,2Е-08 см2/бит ÷ 5,4Е-08 см2/бит

Стойкость к воздействию протонов:
Пороговая энергия эффекта SEU
Сечение насыщения эффекта SEU


12 МэВ
3,5Е-14 см2/бит

Стойкость к воздействию нейтронов с энергией 14,7 МэВ:
Эффект SEL
Сечение насыщения эффекта SEU


Отсутствует
<1,1E-14 см2/бит

Характеристики радиационной стойкости

7.И1, 7.И7

2*4Ус

7.И6

2*4Ус ВПР не более 0,4 мс

7.И8

УБР 0,0014*4Ус

7.С1, 7.С4

4Ус

Название документа

Дата

Размер

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Краткая информация

13.02.2017

300 Кб

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Техническое описание

06.03.2013

1 Mб

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Габаритный чертеж

19.02.2013

53 Кб

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Библиотечный элемент Altium Designer

30.04.2014

227 Кб

Скачать

Вся документация

С целью обеспечения качественного экстраполирования жизнеспособности устройства в радиационной среде, испытания микросхемы 1657РУ1У проведены на моделирующих установках.

На воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц испытания микросхемы проводились на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).

Облучение микросхемы проводилось стандартным набором ионов: Kr, Xe, Ar, Ne при нормальной температуре корпуса, ионами Xe при температуре +65 °С и впервые в истории отечественных испытаний ионами Bi при температуре +100 °С.

СОЗУ 1657РУ1У является первой отечественной микросхемой, прошедшей испытания по оценке воздействия на работоспособность изделия вторичного излучения, вызванного нейтронными потоками, что является особенно актуальным для авиационной электроники.

Рус|En