Радиационно стойкое статическое ОЗУ 1657РУ1У
- ОПИСАНИЕ
- ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
- ДОКУМЕНТАЦИЯ
1657РУ1У
Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно стойких приложений
Функциональными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor).
Технология изготовления: 0,25-мкм КМОП процесс на базе радиационно-стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС».
Тип памяти: статическая, асинхронная.
Организация памяти 512К×8.
Время выборки адреса:
типовое 25 нс;
во время и непосредственно после ВВФ и радиационного воздействия не более 40 нс.
Типовая потребляемая мощность: 80 мВт.
Напряжение питания: ядро 2,5 В ±5%, периферия 3,3 В ±5%.
Диапазон рабочих температур: –60 ...+125 °С.
Атмосферное пониженное рабочее давление: 10-6 мм рт. ст..
Корпус металлокерамический LCC-44; 16,5 x 16,5 х 3,15 мм.
Показатель герметичности 6,65∙10-3 Па∙см3/с.
Масса микросхемы не более 3 г.
Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 1000 В.
Характеристики радиационной стойкости
Параметр |
Значение |
|
Суммарная накопленная доза, TID |
330 крад, КТЗ 500 крад |
|
Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту отказов SEL (тиристорных эффектов):
|
|
|
Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту одиночных сбоев SEU:
|
|
|
Стойкость к воздействию протонов: |
|
|
Стойкость к воздействию нейтронов с энергией 14,7 МэВ: |
|
|
Характеристики радиационной стойкости |
7.И1, 7.И7 |
2*4Ус |
7.И6 |
2*4Ус ВПР не более 0,4 мс |
|
7.И8 |
УБР 0,0014*4Ус |
|
7.С1, 7.С4 |
4Ус |
|
Название документа | Дата | Размер | Скачать |
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Краткая информация |
13.02.2017 |
300 Кб |
|
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Техническое описание |
06.03.2013 |
1 Mб |
|
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Габаритный чертеж |
19.02.2013 |
53 Кб |
|
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Библиотечный элемент Altium Designer |
30.04.2014 |
227 Кб |
|
С целью обеспечения качественного экстраполирования жизнеспособности устройства в радиационной среде, испытания микросхемы 1657РУ1У проведены на моделирующих установках.
На воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц испытания микросхемы проводились на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).
Облучение микросхемы проводилось стандартным набором ионов: Kr, Xe, Ar, Ne при нормальной температуре корпуса, ионами Xe при температуре +65 °С и впервые в истории отечественных испытаний ионами Bi при температуре +100 °С.
СОЗУ 1657РУ1У является первой отечественной микросхемой, прошедшей испытания по оценке воздействия на работоспособность изделия вторичного излучения, вызванного нейтронными потоками, что является особенно актуальным для авиационной электроники.
