Технические характеристики радиационно стойкого сигнального процессора 1892ВМ15АФ:

• технология изготовления: 180 нм КМОП;

• технология проектирования: на базе радиационно стойких (по типу «Rad-Tolerant») библиотек MK180RT разработки АО НПЦ «ЭЛВИС» и его партнеров и IP-библиотек платформы «МУЛЬТИКОР»;

• CPU: MIPS32-совместимый процессор с 32/64-разрядным акселератором плавающей точки (FPU). Для повышения устойчивости процессора к сбоям реализовано тройное модульное резервирование (TMR – triple modular redundancy) всех триггеров его регистров и системы синхронизации. Тактовая частота 120 МГц;

• два DSP-ядра 140 МГц с пиковой производительностью 2240 MFLOPs (в формате 24E8);

• аппаратный ускоритель процедуры БПФ с производительностью 6,4 GFLOPs и возможностью прямого программного задания размера одномерных и двумерных БПФ до 8К в одномерном режиме и до 256К в режиме матричного наращивания. Дополнительные функции акселератора: ОБПФ, нормировка результатов (1/N) при обратном преобразовании, фазовые повороты результатов преобразования, расчет энергий результатов преобразования, поэлементное (сопряженное) перемножение двух комплексных массивов и т.д.;

• аппаратный ускоритель сжатия изображений по стандарту JPEG с производительностью до 393 Мегапикселей в секунду;

• 32/64-разрядный порт внешней памяти: SRAM, SDRAM, FLASH, ROM;

• два 32-разрядных порта памяти типа DDR;

• порт Ethernet 10/100, MAC;

• порт USB 1.1 (Full-speed);

• два порта SpaceWire (ECSS-E-50-12C, каждый от 2 до 300 Мбит/c);

• два порта UART типа 16550А;

• многоканальный контроллер прямого доступа в память (DMA), обеспечивающий 2-мерную и разрядно-инверсную адресацию массивов сигналов и изображений большой размерности (от 16К);

• четыре порта MFBSP (I2S/ SPI/ SHARC LPORT/ GPIO) с DMA;

• встроенное ОЗУ объемом 3 Мбит;

• встроенные умножители входной частоты;

• 32-разрядные интервальный таймер, таймер реального времени, сторожевой таймер;

• все блоки внутренней и внешней памяти микросхемы защищены кодом Хэмминга: коррекция ошибок, исправление однократных ошибок и обнаружение двукратных ошибок;

• встроенные средства отладки программ (OnCD) с JTAG портом в соответствии со стандартом IEEE 1149.1;

• параметры радиационной стойкости:

• свыше 200 крад по накопленной дозе;

• стойкость к воздействиям ТЗЧ (SEL) при пороговом значении ЛПЭ более 60 МэВ∙см²/мг;

• напряжение питания микропроцессора: напряжение питания ядра: 1,8 В; изменение напряжения питания: ±5%; напряжение питания периферии 3,3 В;

• температурный диапазон: –60...+85 °С (до +125 °С после подтверждения результатами испытаний).